Транзистор имп. 15N03 TO251
Транзистор
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 26 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 30 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 15 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Время нарастания (Fr): 22.5
Ёмкость стока (Cd): 107 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.08 Ом
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 26 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 30 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 15 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Время нарастания (Fr): 22.5
Ёмкость стока (Cd): 107 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.08 Ом
Внимание!
Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться
производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит
исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является
публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса
Российской Федерации.