Транзистор имп. 3NK80 isol TO220F
Транзистор полевой
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 35 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 800 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 30 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 2.8 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Время нарастания (Fr): 25
Ёмкость стока (Cd): 39 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 4.8 Ом
Корпус: TO-220F
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 35 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 800 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 30 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 2.8 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Время нарастания (Fr): 25
Ёмкость стока (Cd): 39 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 4.8 Ом
Корпус: TO-220F
В наличии:
| 3 шт | РадугаСаян | г.Саяногорск, мкр.Ленинградский д.16 м.'Кантегир' |
Внимание!
Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться
производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит
исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является
публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса
Российской Федерации.