Транзистор имп. 11P06 D2PAK
Наименование прибора: FQD11P06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.185 Ohm
Тип корпуса: TO252, DPAK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.185 Ohm
Тип корпуса: TO252, DPAK
В наличии:
| 3 шт | РадугаСаян | город Саяногорск, мкр.Ленинградский д.16 м.'Кантегир' |
Внимание!
Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться
производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит
исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является
публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса
Российской Федерации.