Транзистор имп. 6N60C DPAK
•Тип транзистора: MOSFET
•Полярность: N
•Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W
•Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
•Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
•Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.4 A
•Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
•Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.0 Ohm
•Тип корпуса: DPAK
•Полярность: N
•Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W
•Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
•Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
•Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.4 A
•Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
•Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.0 Ohm
•Тип корпуса: DPAK
В наличии:
| 2 шт | РадугаСаян | город Саяногорск, мкр.Ленинградский д.16 м.'Кантегир' |
Внимание!
Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться
производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит
исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является
публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса
Российской Федерации.