Транзистор имп. 2N1212 TO61
Транзистор
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 85 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 60 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 5 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 200 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 12
Корпус: TO61
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 85 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 60 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 5 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 200 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 12
Корпус: TO61
В наличии:
| 3 шт | РадугаСаян | город Саяногорск, мкр.Ленинградский д.16 м.'Кантегир' |
Внимание!
Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться
производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит
исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является
публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса
Российской Федерации.