Транзистор имп. STGB10NB37LZ D2PAK (N, 400V 20A) IGBT биполярный
для ЭБУ
- высоковольтный мощный IGBT транзистор.
Применяется в автомобильной промышленности (зажигание) обычно стоит по 2 штуки
Тип управляющего канала IGBT транзистора: N-Channel
Предельная постоянная рассеиваемая мощность (Pc) транзистора: 125W
Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce) IGBT транзистора: 425V
Коллектор-эмиттер, напряжение насыщения (Ucesat): 1.3V
Предельное напряжение затвор-эмиттер (Ueg): 16V
Предельный ток коллектора транзистора (Ic): 20A
Предельная температура (Tj): 150 C
Время нарастания: 520 nS
Выходная емкость (Cс), Пф: 1700pF
- высоковольтный мощный IGBT транзистор.
Применяется в автомобильной промышленности (зажигание) обычно стоит по 2 штуки
Тип управляющего канала IGBT транзистора: N-Channel
Предельная постоянная рассеиваемая мощность (Pc) транзистора: 125W
Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce) IGBT транзистора: 425V
Коллектор-эмиттер, напряжение насыщения (Ucesat): 1.3V
Предельное напряжение затвор-эмиттер (Ueg): 16V
Предельный ток коллектора транзистора (Ic): 20A
Предельная температура (Tj): 150 C
Время нарастания: 520 nS
Выходная емкость (Cс), Пф: 1700pF
В наличии:
| 3 шт | РадугаСаян | город Саяногорск, мкр.Ленинградский д.16 м.'Кантегир' |
Внимание!
Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться
производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит
исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является
публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса
Российской Федерации.