Микросхема имп. IR2104 DIP8
Полумостовой драйвер
Конфигурация half-bridge
Тип канала синхронный
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150(TJ)
Корпус dip-8(0.300 inch)
Конфигурация half-bridge
Тип канала синхронный
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150(TJ)
Корпус dip-8(0.300 inch)
В наличии:
| 5 шт | РадугаСаян | город Саяногорск, мкр.Ленинградский д.16 м.'Кантегир' |
Внимание!
Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться
производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит
исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является
публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса
Российской Федерации.