Транзистор имп. 65N20 TO263
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 65A
Максимальная температура канала (Tj): 175°C
Общий заряд затвора (Qg): 90nC
Время нарастания (tr): 220ns
Выходная емкость (Cd): 480pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03Ohm
Тип корпуса: TO-263
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 65A
Максимальная температура канала (Tj): 175°C
Общий заряд затвора (Qg): 90nC
Время нарастания (tr): 220ns
Выходная емкость (Cd): 480pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03Ohm
Тип корпуса: TO-263
В наличии:
| 2 шт | РадугаСаян | город Саяногорск, мкр.Ленинградский д.16 м.'Кантегир' |
Внимание!
Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться
производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит
исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является
публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса
Российской Федерации.