Транзистор имп. 2SK904 TO220
Транзистор полевой
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 80 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 800 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 3 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Время нарастания (Fr):
Ёмкость стока (Cd): 1400 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 4 Ом
Корпус: TO220
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 80 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 800 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 3 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Время нарастания (Fr):
Ёмкость стока (Cd): 1400 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 4 Ом
Корпус: TO220
В наличии:
| 6 шт | РадугаСаян | город Саяногорск, мкр.Ленинградский д.16 м.'Кантегир' |
Внимание!
Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться
производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит
исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является
публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса
Российской Федерации.