Транзистор имп. 31N20 (IRFB31N20D) TO-220 N-Mosfet 200V 31A
Наименование прибора: IRFB31N20D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 31 A
Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.082 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 31 A
Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.082 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
В наличии:
| 1 шт | РадугаСаян | город Саяногорск, мкр.Ленинградский д.16 м.'Кантегир' |
Внимание!
Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться
производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит
исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является
публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса
Российской Федерации.